Vishay Semiconductor Diodes Division - BYM07-200HE3/83

KEY Part #: K6446847

[1625個在庫]


    品番:
    BYM07-200HE3/83
    メーカー:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    詳細な説明:
    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-特別な目的, ダイオード-RF, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYM07-200HE3/83 electronic components. BYM07-200HE3/83 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYM07-200HE3/83, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BYM07-200HE3/83 製品の属性

    品番 : BYM07-200HE3/83
    メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
    説明 : DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213
    シリーズ : SUPERECTIFIER®
    部品ステータス : Discontinued at Digi-Key
    ダイオードタイプ : Standard
    電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 200V
    電流-平均整流(Io) : 500mA
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.25V @ 500mA
    速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    逆回復時間(trr) : 50ns
    電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 200V
    静電容量@ Vr、F : 7pF @ 4V, 1MHz
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : DO-213AA (Glass)
    サプライヤーデバイスパッケージ : DO-213AA (GL34)
    動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

    あなたも興味があるかもしれません
    • GPP60G-E3/73

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 400V 6A P600.

    • GPP60B-E3/73

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 100V 6A P600.

    • BYM07-200HE3/83

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213.

    • SBLB1030HE3/81

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 30V 10A TO263AB.

    • SBLB10L25HE3/81

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 25V 10A TO263AB.

    • NSB8JTHE3/81

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB.