DMN61D8LVT-7 価格設定（USD） [460537個在庫]
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- 品番:
- DMN61D8LVT-7
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN61D8LVT-7 electronic components. DMN61D8LVT-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN61D8LVT-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN61D8LVT-7 製品の属性
品番 :
DMN61D8LVT-7
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
630mA
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.8 Ohm @ 150mA, 5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
0.74nC @ 5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
12.9pF @ 12V
パワー-最大 :
820mW
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
サプライヤーデバイスパッケージ :
TSOT-26
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