Infineon Technologies - FS75R07N2E4B11BOSA1

KEY Part #: K6533270

FS75R07N2E4B11BOSA1 価格設定(USD) [1222個在庫]

  • 1 pcs$35.41110

品番:
FS75R07N2E4B11BOSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOD IGBT LOW PWR ECONO2-6.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FS75R07N2E4B11BOSA1 製品の属性

品番 : FS75R07N2E4B11BOSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOD IGBT LOW PWR ECONO2-6
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : Trench Field Stop
構成 : Three Phase Inverter
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 650V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 75A
パワー-最大 : 250W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 1.95V @ 15V, 75A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 1mA
入力容量(Cies)@ Vce : 4.6nF @ 25V
入力 : Standard
NTCサーミスタ : Yes
動作温度 : -40°C ~ 150°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Module
サプライヤーデバイスパッケージ : Module

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