Infineon Technologies - FS75R07N2E4B11BOSA1

KEY Part #: K6533270

FS75R07N2E4B11BOSA1 価格設定(USD) [1222個在庫]

  • 1 pcs$35.41110

品番:
FS75R07N2E4B11BOSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOD IGBT LOW PWR ECONO2-6.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-整流器-アレイ and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FS75R07N2E4B11BOSA1 製品の属性

品番 : FS75R07N2E4B11BOSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOD IGBT LOW PWR ECONO2-6
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : Trench Field Stop
構成 : Three Phase Inverter
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 650V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 75A
パワー-最大 : 250W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 1.95V @ 15V, 75A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 1mA
入力容量(Cies)@ Vce : 4.6nF @ 25V
入力 : Standard
NTCサーミスタ : Yes
動作温度 : -40°C ~ 150°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Module
サプライヤーデバイスパッケージ : Module

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