NSVBAS21SLT1G 価格設定（USD） [1230545個在庫]
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- 品番:
- NSVBAS21SLT1G
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 250V 225MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching SS SOT23 SWCH DIO 250V TR
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NSVBAS21SLT1G electronic components. NSVBAS21SLT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NSVBAS21SLT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NSVBAS21SLT1G 製品の属性
品番 :
NSVBAS21SLT1G
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
DIODE GEN PURP 250V 225MA SOT23
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
250V
電流-平均整流（Io） :
225mA (DC)
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.25V @ 200mA
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
50ns
電流-Vrでの逆漏れ :
100µA @ 200V
静電容量@ Vr、F :
5pF @ 0V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-23-3 (TO-236)
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
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