ON Semiconductor - NSVBAS21SLT1G

KEY Part #: K6425726

NSVBAS21SLT1G 価格設定(USD) [1230545個在庫]

  • 1 pcs$0.03006
  • 9,000 pcs$0.02840

品番:
NSVBAS21SLT1G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 250V 225MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching SS SOT23 SWCH DIO 250V TR
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, パワードライバーモジュール and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor NSVBAS21SLT1G electronic components. NSVBAS21SLT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NSVBAS21SLT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NSVBAS21SLT1G 製品の属性

品番 : NSVBAS21SLT1G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : DIODE GEN PURP 250V 225MA SOT23
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 250V
電流-平均整流(Io) : 225mA (DC)
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.25V @ 200mA
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 50ns
電流-Vrでの逆漏れ : 100µA @ 200V
静電容量@ Vr、F : 5pF @ 0V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-23-3 (TO-236)
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

あなたも興味があるかもしれません
  • DK208DRP

    Littelfuse Inc.

    DIODE RECTIFIER 1200V 8A TO252 R. Rectifiers Diode rectifier 1200V 8A TO252 Reel Pack

  • EGL34G/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.

  • VS-20ETS12S-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB. Rectifiers New Input Diodes - D2PAK-e3

  • VS-20ETF12FP-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220FP. Rectifiers New Input Diodes - FULLPAK-220-e3

  • BYD33JGPHE3/73

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL.

  • SDUR2040

    SMC Diode Solutions

    DIODE GEN PURP 400V TO220AC.