Diodes Incorporated - ZXMN2A03E6TA

KEY Part #: K6404805

ZXMN2A03E6TA 価格設定(USD) [248099個在庫]

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品番:
ZXMN2A03E6TA
メーカー:
Diodes Incorporated
詳細な説明:
MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT-23-6.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-シングル and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ZXMN2A03E6TA 製品の属性

品番 : ZXMN2A03E6TA
メーカー : Diodes Incorporated
説明 : MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT-23-6
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 3.7A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 2.5V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 55 mOhm @ 7.2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 700mV @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 8.2nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±12V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 837pF @ 10V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 1.1W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-23-6
パッケージ/ケース : SOT-23-6

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