Vishay Semiconductor Diodes Division - U3D-E3/9AT

KEY Part #: K6450478

U3D-E3/9AT 価格設定(USD) [380446個在庫]

  • 1 pcs$0.09722
  • 3,500 pcs$0.08889
  • 7,000 pcs$0.08316
  • 10,500 pcs$0.07742
  • 24,500 pcs$0.07647

品番:
U3D-E3/9AT
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AB. Rectifiers 3.0 Amp 200 Volt 100 Amp IFSM
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-JFET, サイリスタ-SCR-モジュール, パワードライバーモジュール and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division U3D-E3/9AT electronic components. U3D-E3/9AT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for U3D-E3/9AT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

U3D-E3/9AT 製品の属性

品番 : U3D-E3/9AT
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AB
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 200V
電流-平均整流(Io) : 2A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 900mV @ 3A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 20ns
電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 200V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : DO-214AB, SMC
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-214AB (SMC)
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

あなたも興味があるかもしれません
  • C3D06065E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 650V 2A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 650V, 6A

  • BYW80FP-200

    STMicroelectronics

    DIODE GEN PURP 200V 10A TO220FP.

  • DB3Y501KEL

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 50V 200MA SOT23-3.

  • SGL41-60-E3/1

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO213AB.

  • SGL41-40-E3/1

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO213AB.

  • SGL41-20-E3/1

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO213AB.