NXP USA Inc. - BUK652R3-40C,127

KEY Part #: K6415323

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    品番:
    BUK652R3-40C,127
    メーカー:
    NXP USA Inc.
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, パワードライバーモジュール, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-JFET, サイリスタ-SCR-モジュール and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BUK652R3-40C,127 製品の属性

    品番 : BUK652R3-40C,127
    メーカー : NXP USA Inc.
    説明 : MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
    シリーズ : TrenchMOS™
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 40V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 120A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 2.3 mOhm @ 25A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 2.8V @ 1mA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 260nC @ 10V
    Vgs(最大) : ±16V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 15100pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 306W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
    取付タイプ : Through Hole
    サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AB
    パッケージ/ケース : TO-220-3