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Microsemi Corporation - JAN1N5552US

KEY Part #: K6442421

[3139個在庫]

    品番:
    JAN1N5552US
    メーカー:
    Microsemi Corporation
    詳細な説明:
    DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Microsemi Corporation JAN1N5552US electronic components. JAN1N5552US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N5552US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    JAN1N5552US 製品の属性

    品番 : JAN1N5552US
    メーカー : Microsemi Corporation
    説明 : DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF
    シリーズ : Military, MIL-PRF-19500/420
    部品ステータス : Discontinued at Digi-Key
    ダイオードタイプ : Standard
    電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 600V
    電流-平均整流（Io） : 3A
    電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.2V @ 9A
    速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    逆回復時間（trr） : 2µs
    電流-Vrでの逆漏れ : 1µA @ 600V
    静電容量@ Vr、F : -
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : SQ-MELF, B
    サプライヤーデバイスパッケージ : D-5B
    動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

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