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- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- IGBT 650V 250A 790W.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-整流器-シングル, パワードライバーモジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies FS200R07A1E3BOSA1 electronic components. FS200R07A1E3BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FS200R07A1E3BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FS200R07A1E3BOSA1 製品の属性
品番 :
FS200R07A1E3BOSA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
IGBT 650V 250A 790W
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
IGBTタイプ :
-
構成 :
Three Phase Inverter
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
650V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
250A
パワー-最大 :
790W
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
1.9V @ 15V, 200A
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
1mA
入力容量（Cies）@ Vce :
13nF @ 25V
入力 :
Standard
NTCサーミスタ :
Yes
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Chassis Mount
パッケージ/ケース :
Module
サプライヤーデバイスパッケージ :
Module
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