Vishay Semiconductor Diodes Division - EGF1T-E3/67A

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品番:
EGF1T-E3/67A
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO214BA. Rectifiers 1.0 Amp 1300 Volt
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
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家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター) and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EGF1T-E3/67A 製品の属性

品番 : EGF1T-E3/67A
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO214BA
シリーズ : SUPERECTIFIER®
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 1300V
電流-平均整流(Io) : 1A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 3V @ 1A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 75ns
電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 1300V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : DO-214BA
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-214BA (GF1)
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

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