Infineon Technologies - FF800R17KE3NOSA1

KEY Part #: K6533168

FF800R17KE3NOSA1 価格設定(USD) [110個在庫]

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品番:
FF800R17KE3NOSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
IGBT MODULE VCES 1200V 800A.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-RF, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), サイリスタ-SCR, パワードライバーモジュール and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FF800R17KE3NOSA1 製品の属性

品番 : FF800R17KE3NOSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : IGBT MODULE VCES 1200V 800A
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : -
構成 : 2 Independent
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1700V
電流-コレクター(Ic)(最大) : -
パワー-最大 : 4450W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2.45V @ 15V, 800A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 5mA
入力容量(Cies)@ Vce : 72nF @ 25V
入力 : Standard
NTCサーミスタ : No
動作温度 : -40°C ~ 125°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Module
サプライヤーデバイスパッケージ : Module

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