ON Semiconductor - NTD4979N-35G

KEY Part #: K6393949

NTD4979N-35G 価格設定(USD) [357223個在庫]

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品番:
NTD4979N-35G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 30V 9.4A IPAK TRIMME.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-トライアック, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTD4979N-35G 製品の属性

品番 : NTD4979N-35G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 30V 9.4A IPAK TRIMME
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 9.4A (Ta), 41A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 16.5nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 837pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 1.38W (Ta), 26.3W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : I-PAK
パッケージ/ケース : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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