説明 :
MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
11A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
13 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
62nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
2470pF @ 15V
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)