ON Semiconductor - FDS6675BZ

KEY Part #: K6417598

FDS6675BZ 価格設定(USD) [265045個在庫]

  • 1 pcs$0.13955
  • 2,500 pcs$0.13449

品番:
FDS6675BZ
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET P-CH 30V 8-SOIC.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FDS6675BZ electronic components. FDS6675BZ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDS6675BZ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDS6675BZ 製品の属性

品番 : FDS6675BZ
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
シリーズ : PowerTrench®
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 11A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 13 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 62nC @ 10V
Vgs(最大) : ±25V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2470pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 2.5W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SOIC
パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

あなたも興味があるかもしれません