説明 :
IC DRVR HALF BRIDGE 2A 16-MLP
門型 :
IGBT, N-Channel MOSFET
ロジック電圧-VIL、VIH :
6V, 9.5V
電流-ピーク出力(ソース、シンク) :
2A, 2A
ハイサイド電圧-最大(ブートストラップ) :
500V
立ち上がり/立ち下がり時間(標準) :
8ns, 7ns
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース :
16-VDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ :
16-MLP (7x6)