説明 :
IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE TO263-5
門型 :
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
ロジック電圧-VIL、VIH :
0.8V, 3.5V
電流-ピーク出力(ソース、シンク) :
9A, 9A
立ち上がり/立ち下がり時間(標準) :
10ns, 10ns
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース :
TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-263 (D²Pak)