説明 :
IC DRVR HALF BRIDGE 600MA 14SOIC
門型 :
IGBT, N-Channel MOSFET
ロジック電圧-VIL、VIH :
2.4V, 2.7V
電流-ピーク出力(ソース、シンク) :
600mA, 600mA
ハイサイド電圧-最大(ブートストラップ) :
600V
立ち上がり/立ち下がり時間(標準) :
28ns, 18ns
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース :
14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
14-SOIC