メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
IC GATE DRVR 600V 3PHASE 28TSSOP
門型 :
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
ロジック電圧-VIL、VIH :
1.1V, 1.7V
ハイサイド電圧-最大(ブートストラップ) :
620V
立ち上がり/立ち下がり時間(標準) :
60ns, 26ns
動作温度 :
-40°C ~ 125°C (TJ)
パッケージ/ケース :
28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TSSOP-28