EPC - EPC8002

KEY Part #: K6418444

EPC8002 価格設定(USD) [65490個在庫]

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品番:
EPC8002
メーカー:
EPC
詳細な説明:
GANFET TRANS 65V 2.7A BUMPED DIE.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, パワードライバーモジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC8002 製品の属性

品番 : EPC8002
メーカー : EPC
説明 : GANFET TRANS 65V 2.7A BUMPED DIE
シリーズ : eGaN®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : GaNFET (Gallium Nitride)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 65V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 2A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 530 mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : -
Vgs(最大) : +6V, -4V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 21pF @ 32.5V
FET機能 : -
消費電力(最大) : -
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : Die
パッケージ/ケース : Die
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