Vishay Semiconductor Diodes Division - SS33HE3_B/I

KEY Part #: K6453666

[13498個在庫]


    品番:
    SS33HE3_B/I
    メーカー:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    詳細な説明:
    DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO214AB.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SS33HE3_B/I 製品の属性

    品番 : SS33HE3_B/I
    メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
    説明 : DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO214AB
    シリーズ : Automotive, AEC-Q101
    部品ステータス : Active
    ダイオードタイプ : Schottky
    電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 30V
    電流-平均整流(Io) : 3A
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 500mV @ 3A
    速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    逆回復時間(trr) : -
    電流-Vrでの逆漏れ : 500µA @ 30V
    静電容量@ Vr、F : -
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : DO-214AB, SMC
    サプライヤーデバイスパッケージ : DO-214AB (SMC)
    動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

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