Microsemi Corporation - 1N5187US

KEY Part #: K6453105

1N5187US 価格設定（USD） [10316個在庫]

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103 pcs$4.19469

品番:: 1N5187US

メーカー:: Microsemi Corporation

詳細な説明:: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL. Rectifiers Rectifier

メーカーの標準リードタイム:: 在庫あり

賞味期限:: 一年

チップから:: 香港

RoHS:

支払方法:

発送方法:

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-JFET and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in Microsemi Corporation 1N5187US electronic components. 1N5187US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5187US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

1N5187US 製品の属性

品番 : 1N5187US

メーカー : Microsemi Corporation

説明 : DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

シリーズ : -

部品ステータス : Active

ダイオードタイプ : Standard

電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 200V

電流-平均整流（Io） : 3A

電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.5V @ 9A

速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

逆回復時間（trr） : 200ns

電流-Vrでの逆漏れ : 2µA @ 200V

静電容量@ Vr、F : -

取付タイプ : Through Hole

パッケージ/ケース : B, Axial

サプライヤーデバイスパッケージ : -

動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

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