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- 品番:
- IRGIB6B60KD116P
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- IGBT 600V 11A 38W TO220FP.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-アレイ and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRGIB6B60KD116P electronic components. IRGIB6B60KD116P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRGIB6B60KD116P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRGIB6B60KD116P 製品の属性
品番 :
IRGIB6B60KD116P
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
IGBT 600V 11A 38W TO220FP
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
IGBTタイプ :
NPT
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
600V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
11A
電流-パルスコレクター（Icm） :
22A
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2.2V @ 15V, 5A
パワー-最大 :
38W
スイッチングエネルギー :
110µJ (on), 135µJ (off)
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
18.2nC
Td（オン/オフ）@ 25°C :
25ns/215ns
試験条件 :
400V, 5A, 100 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） :
70ns
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-220-3 Full Pack
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220AB Full-Pak
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