Microsemi Corporation - APT15GP90BDQ1G

KEY Part #: K6424686

APT15GP90BDQ1G 価格設定(USD) [14011個在庫]

  • 1 pcs$3.58730
  • 10 pcs$3.22857
  • 25 pcs$2.94141

品番:
APT15GP90BDQ1G
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
IGBT 900V 43A 250W TO247.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation APT15GP90BDQ1G electronic components. APT15GP90BDQ1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT15GP90BDQ1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT15GP90BDQ1G 製品の属性

品番 : APT15GP90BDQ1G
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : IGBT 900V 43A 250W TO247
シリーズ : POWER MOS 7®
部品ステータス : Not For New Designs
IGBTタイプ : PT
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 900V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 43A
電流-パルスコレクター(Icm) : 60A
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 3.9V @ 15V, 15A
パワー-最大 : 250W
スイッチングエネルギー : 200µJ (off)
入力方式 : Standard
ゲートチャージ : 60nC
Td(オン/オフ)@ 25°C : 9ns/33ns
試験条件 : 600V, 15A, 4.3 Ohm, 15V
逆回復時間(trr) : -
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247 [B]

あなたも興味があるかもしれません
  • IRG4RC10K

    Infineon Technologies

    IGBT 600V 9A 38W DPAK.

  • FGD3440G2-F085

    ON Semiconductor

    IGBT 400V 26.9A 166W DPAK.

  • IXGY2N120

    IXYS

    IGBT 1200V 5A 25W TO252AA.

  • IRG4BH20K-S

    Infineon Technologies

    IGBT 1200V 11A 60W D2PAK.

  • IRG4BC30K-S

    Infineon Technologies

    IGBT 600V 28A 100W D2PAK.

  • IRG4BC30U-S

    Infineon Technologies

    IGBT 600V 23A 100W D2PAK.