Vishay Semiconductor Diodes Division - 1N5626GPHE3/54

KEY Part #: K6447877

[1275個在庫]


    品番:
    1N5626GPHE3/54
    メーカー:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    詳細な説明:
    DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-アレイ, パワードライバーモジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター)を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    1N5626GPHE3/54 製品の属性

    品番 : 1N5626GPHE3/54
    メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
    説明 : DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
    シリーズ : SUPERECTIFIER®
    部品ステータス : Obsolete
    ダイオードタイプ : Standard
    電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 600V
    電流-平均整流(Io) : 3A
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1V @ 3A
    速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    逆回復時間(trr) : 3µs
    電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 600V
    静電容量@ Vr、F : 40pF @ 4V, 1MHz
    取付タイプ : Through Hole
    パッケージ/ケース : DO-201AD, Axial
    サプライヤーデバイスパッケージ : DO-201AD
    動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

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