NDB6020P 価格設定（USD） [103739個在庫]
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- 800 pcs$0.37692
- 品番:
- NDB6020P
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NDB6020P electronic components. NDB6020P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NDB6020P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NDB6020P 製品の属性
品番 :
NDB6020P
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
24A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
50 mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
35nC @ 5V
Vgs（最大） :
±8V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1590pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
60W (Tc)
動作温度 :
-65°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D²PAK (TO-263AB)
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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