VS-GT400TH60N 価格設定（USD） [164個在庫]
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- 12 pcs$223.00207
- 品番:
- VS-GT400TH60N
- 詳細な説明:
- IGBT 600V 530A 1600W DIAP.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, サイリスタ-トライアック and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GT400TH60N electronic components. VS-GT400TH60N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-GT400TH60N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VS-GT400TH60N 製品の属性
品番 :
VS-GT400TH60N
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
IGBT 600V 530A 1600W DIAP
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
IGBTタイプ :
Trench
構成 :
Half Bridge
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
600V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
530A
パワー-最大 :
1600W
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2.05V @ 15V, 400A
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
5mA
入力容量（Cies）@ Vce :
30.8nF @ 30V
入力 :
Standard
NTCサーミスタ :
No
動作温度 :
175°C (TJ)
取付タイプ :
Chassis Mount
パッケージ/ケース :
Double INT-A-PAK (3 + 8)
サプライヤーデバイスパッケージ :
Double INT-A-PAK
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