Vishay Siliconix - SIZ320DT-T1-GE3

KEY Part #: K6523138

SIZ320DT-T1-GE3 価格設定(USD) [245327個在庫]

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品番:
SIZ320DT-T1-GE3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET 2N-CH 25V 30/40A 8POWER33.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-JFET, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-RF and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIZ320DT-T1-GE3 製品の属性

品番 : SIZ320DT-T1-GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET 2N-CH 25V 30/40A 8POWER33
シリーズ : PowerPAIR®, TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Standard
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 25V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 30A (Tc), 40A (Tc)
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 8.3 mOhm @ 8A, 10V, 4.24 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 8.9nC @ 4.5V, 11.9nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 660pF @ 12.5V, 1370pF @ 12.5V
パワー-最大 : 16.7W, 31W
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-PowerWDFN
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-Power33 (3x3)

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