Infineon Technologies - IDH05G120C5XKSA1

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品番:
IDH05G120C5XKSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO220-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC CHIP/DISCRETE
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IDH05G120C5XKSA1 製品の属性

品番 : IDH05G120C5XKSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO220-2
シリーズ : CoolSiC™
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Silicon Carbide Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 1200V
電流-平均整流(Io) : 5A (DC)
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.8V @ 5A
速度 : No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間(trr) : 0ns
電流-Vrでの逆漏れ : 33µA @ 1200V
静電容量@ Vr、F : 301pF @ 1V, 1MHz
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-220-2
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO220-2-1
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 175°C

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