Infineon Technologies - IRF9910

KEY Part #: K6524674

[3753個在庫]


    品番:
    IRF9910
    メーカー:
    Infineon Technologies
    詳細な説明:
    MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Infineon Technologies IRF9910 electronic components. IRF9910 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF9910, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRF9910 製品の属性

    品番 : IRF9910
    メーカー : Infineon Technologies
    説明 : MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
    シリーズ : HEXFET®
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
    FET機能 : Logic Level Gate
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 10A, 12A
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 13.4 mOhm @ 10A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 2.55V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 11nC @ 4.5V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 900pF @ 10V
    パワー-最大 : 2W
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SO

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