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Samsung Semiconductor - K4B4G0846E-BYMA

KEY Part #: K7359682

[18678個在庫]

    品番:
    K4B4G0846E-BYMA
    メーカー:
    Samsung Semiconductor
    詳細な説明:
    4 Gb 512M x 8 1866 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、DDR3, GDDR6, SLC Nand, LPDDR4X, DDR4, LPDDR4, HBM Flarebolt and GDDR5を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4B4G0846E-BYMA electronic components. K4B4G0846E-BYMA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4B4G0846E-BYMA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4B4G0846E-BYMA 製品の属性

    品番 : K4B4G0846E-BYMA
    メーカー : Samsung Semiconductor
    説明 : 4 Gb 512M x 8 1866 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
    シリーズ : DDR3
    密度 : 4 Gb
    組織。 : 512M x 8
    速度 : 1866 Mbps
    電圧 : 1.35 V
    温度。 : 0 ~ 85 °C
    パッケージ : 78FBGA
    製品ステータス : Mass Production

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