ON Semiconductor - MBRM110ET3G

KEY Part #: K6424997

MBRM110ET3G 価格設定(USD) [1012464個在庫]

  • 1 pcs$0.03653
  • 12,000 pcs$0.03643

品番:
MBRM110ET3G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE. Schottky Diodes & Rectifiers 1A 10V Low Leakage
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-RF, サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-整流器-シングル and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor MBRM110ET3G electronic components. MBRM110ET3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBRM110ET3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBRM110ET3G 製品の属性

品番 : MBRM110ET3G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 10V
電流-平均整流(Io) : 1A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 530mV @ 1A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 1µA @ 10V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : DO-216AA
サプライヤーデバイスパッケージ : Powermite
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

あなたも興味があるかもしれません