ON Semiconductor - MBRM110ET3G

KEY Part #: K6424997

MBRM110ET3G 価格設定(USD) [1012464個在庫]

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品番:
MBRM110ET3G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE. Schottky Diodes & Rectifiers 1A 10V Low Leakage
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, パワードライバーモジュール, サイリスタ-トライアック and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor MBRM110ET3G electronic components. MBRM110ET3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBRM110ET3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBRM110ET3G 製品の属性

品番 : MBRM110ET3G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 10V
電流-平均整流(Io) : 1A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 530mV @ 1A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 1µA @ 10V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : DO-216AA
サプライヤーデバイスパッケージ : Powermite
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

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