Vishay Semiconductor Diodes Division - RS3JHE3/9AT

KEY Part #: K6446971

[7257個在庫]


    品番:
    RS3JHE3/9AT
    メーカー:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    詳細な説明:
    DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-アレイ, パワードライバーモジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター) and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RS3JHE3/9AT 製品の属性

    品番 : RS3JHE3/9AT
    メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
    説明 : DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    ダイオードタイプ : Standard
    電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 600V
    電流-平均整流(Io) : 3A
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.3V @ 2.5A
    速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    逆回復時間(trr) : 250ns
    電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 600V
    静電容量@ Vr、F : 34pF @ 4V, 1MHz
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : DO-214AB, SMC
    サプライヤーデバイスパッケージ : DO-214AB (SMC)
    動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

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