IXTF1R4N450 価格設定（USD） [1566個在庫]
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- 10 pcs$28.62082
- 品番:
- IXTF1R4N450
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- 2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-特別な目的, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC and ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXTF1R4N450 electronic components. IXTF1R4N450 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTF1R4N450, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTF1R4N450 製品の属性
品番 :
IXTF1R4N450
メーカー :
IXYS
説明 :
2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
4500V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
1.4A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
40 Ohm @ 50mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
6V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
88nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3300pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
190W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
ISOPLUS i4-PAC™
パッケージ/ケース :
i4-Pac™-5 (3 Leads)
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