ON Semiconductor - RHRP3060-F102

KEY Part #: K6442671

RHRP3060-F102 価格設定(USD) [40660個在庫]

  • 1 pcs$0.96163

品番:
RHRP3060-F102
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 600V 30A TO220-2. Rectifiers 600V, 30A, HYPERFAST DIODES
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), サイリスタ-DIAC、SIDAC, サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-シングル and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor RHRP3060-F102 electronic components. RHRP3060-F102 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RHRP3060-F102, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RHRP3060-F102 製品の属性

品番 : RHRP3060-F102
メーカー : ON Semiconductor
説明 : DIODE GEN PURP 600V 30A TO220-2
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 600V
電流-平均整流(Io) : 30A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 2.1V @ 30A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 45ns
電流-Vrでの逆漏れ : 250µA @ 600V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-220-2
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220-2
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

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