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- 品番:
- SGW23N60UFDTM
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- IGBT 600V 23A 100W D2PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor SGW23N60UFDTM electronic components. SGW23N60UFDTM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SGW23N60UFDTM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SGW23N60UFDTM 製品の属性
品番 :
SGW23N60UFDTM
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
IGBT 600V 23A 100W D2PAK
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
IGBTタイプ :
-
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
600V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
23A
電流-パルスコレクター（Icm） :
92A
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2.6V @ 15V, 12A
パワー-最大 :
100W
スイッチングエネルギー :
115µJ (on), 135µJ (off)
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
49nC
Td（オン/オフ）@ 25°C :
17ns/60ns
試験条件 :
300V, 12A, 23 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） :
60ns
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ :
D²PAK
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