Diodes Incorporated - DMN3009SFG-7

KEY Part #: K6402031

DMN3009SFG-7 価格設定(USD) [267180個在庫]

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品番:
DMN3009SFG-7
メーカー:
Diodes Incorporated
詳細な説明:
MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, サイリスタ-トライアック and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN3009SFG-7 製品の属性

品番 : DMN3009SFG-7
メーカー : Diodes Incorporated
説明 : MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 16A (Ta), 45A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 5.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 42nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2000pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 900mW (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerDI3333-8
パッケージ/ケース : 8-PowerWDFN

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