JAN1N6625US 価格設定（USD） [5495個在庫]
- 1 pcs$7.53689
- 100 pcs$7.49939
- 品番:
- JAN1N6625US
- メーカー:
- Microsemi Corporation
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A. Rectifiers Rectifier
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-JFET and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Microsemi Corporation JAN1N6625US electronic components. JAN1N6625US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N6625US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
JAN1N6625US 製品の属性
品番 :
JAN1N6625US
メーカー :
Microsemi Corporation
説明 :
DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A
シリーズ :
Military, MIL-PRF-19500/585
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
1100V
電流-平均整流（Io） :
1A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.75V @ 1A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
60ns
電流-Vrでの逆漏れ :
1µA @ 1100V
静電容量@ Vr、F :
10pF @ 10V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SQ-MELF, A
サプライヤーデバイスパッケージ :
D-5A
動作温度-ジャンクション :
-65°C ~ 150°C
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- BYV29B-600PJ
- RL104-N-2-3-AP
- 1N3172A
- CMSH2-40M BK
- VI30120SGHM3/4W
- JAN1N1614R
- 1N4946GP-M3/54
- UES2605R
- CD214B-F3150
- SB340S-E3/54
- DSR01S30SC(TPL3)
- RGP02-16EHE3/53
- ES3GHE3/57T
- UF8CT-E3/4W
- S1DA-E3/5AT
- 1N4446_T50R
- HFA08TB60STRR
- PR3005-T
- PR2006G-T
- STTH20R04W
- SIDC73D170E6X1SA2
- CD214A-B240LF
- 10WQ045FN
- MA2711100L
- MMBD914-7
- 10ETF02STRL
- IRKE91/04A
- 30EPF12
- 20ETF02
- BAT42W-7
- SM4933A-TP
- FR154S-TP
- FR604-AP
- GIB1403-E3/81
- SE40PGHM3_A/H
- RN 1ZV
- CDBB3150-G
- PMEG2010AET,215
- 1N4005GPE-E3/54
- BAS16WF