ZXMN2F30FHTA 価格設定（USD） [663036個在庫]
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- 品番:
- ZXMN2F30FHTA
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-整流器-シングル and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated ZXMN2F30FHTA electronic components. ZXMN2F30FHTA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZXMN2F30FHTA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ZXMN2F30FHTA 製品の属性
品番 :
ZXMN2F30FHTA
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
4.1A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
2.5V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
45 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
4.8nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±12V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
452pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
960mW (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-23-3
パッケージ/ケース :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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