PMXB40UNEZ 価格設定（USD） [882277個在庫]
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- 品番:
- PMXB40UNEZ
- メーカー:
- Nexperia USA Inc.
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Nexperia USA Inc. PMXB40UNEZ electronic components. PMXB40UNEZ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMXB40UNEZ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PMXB40UNEZ 製品の属性
品番 :
PMXB40UNEZ
メーカー :
Nexperia USA Inc.
説明 :
MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
12V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
3.2A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
1.2V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
45 mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
900mV @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
11.6nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±8V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
556pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
400mW (Ta), 8.33W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
DFN1010D-3
パッケージ/ケース :
3-XDFN Exposed Pad
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