説明 :
GAN TRANS 100V 2.8OHM BUMPED DIE
技術 :
GaNFET (Gallium Nitride)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
500mA (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
3.3 Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th)(最大)@ Id :
2.5V @ 20µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
0.044nC @ 5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
8.4pF @ 50V
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)