Vishay Semiconductor Diodes Division - UHF5JT-E3/4W

KEY Part #: K6445573

UHF5JT-E3/4W 価格設定(USD) [2061個在庫]

  • 1,000 pcs$0.20189

品番:
UHF5JT-E3/4W
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division UHF5JT-E3/4W electronic components. UHF5JT-E3/4W can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UHF5JT-E3/4W, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UHF5JT-E3/4W 製品の属性

品番 : UHF5JT-E3/4W
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC
シリーズ : -
部品ステータス : Obsolete
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 600V
電流-平均整流(Io) : 8A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 3V @ 5A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 40ns
電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 600V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
サプライヤーデバイスパッケージ : ITO-220AC
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 175°C

あなたも興味があるかもしれません
  • C2D05120E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252.

  • BAT54WH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323.

  • IDB23E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3.

  • IDB12E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3.

  • IDB45E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 71A TO263-3.

  • IDB15E60

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO263. Diodes - General Purpose, Power, Switching Fast Switching 600V EmCon Diode