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- 品番:
- IDH09G65C5XKSA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- DIODE SCHOTTKY 650V 9A TO220-2.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-JFET and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IDH09G65C5XKSA1 electronic components. IDH09G65C5XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IDH09G65C5XKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IDH09G65C5XKSA1 製品の属性
品番 :
IDH09G65C5XKSA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
DIODE SCHOTTKY 650V 9A TO220-2
シリーズ :
CoolSiC™
部品ステータス :
Discontinued at Digi-Key
ダイオードタイプ :
Silicon Carbide Schottky
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
650V
電流-平均整流（Io） :
9A (DC)
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.7V @ 9A
速度 :
No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間（trr） :
0ns
電流-Vrでの逆漏れ :
310µA @ 650V
静電容量@ Vr、F :
270pF @ 1V, 1MHz
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-220-2
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO220-2-2
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 175°C
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