Texas Instruments - CSD23202W10T

KEY Part #: K6417236

CSD23202W10T 価格設定(USD) [332910個在庫]

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品番:
CSD23202W10T
メーカー:
Texas Instruments
詳細な説明:
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, サイリスタ-トライアック, ダイオード-整流器-アレイ, パワードライバーモジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CSD23202W10T 製品の属性

品番 : CSD23202W10T
メーカー : Texas Instruments
説明 : MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
シリーズ : NexFET™
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 12V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 2.2A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 1.5V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 53 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 900mV @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 3.8nC @ 4.5V
Vgs(最大) : -6V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 512pF @ 6V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 1W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 4-DSBGA (1x1)
パッケージ/ケース : 4-UFBGA, DSBGA

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