説明 :
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
2.2A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
1.5V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
53 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id :
900mV @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
3.8nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
512pF @ 6V
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
4-DSBGA (1x1)
パッケージ/ケース :
4-UFBGA, DSBGA