IRG7CH44K10EF 価格設定（USD） [27779個在庫]
- 1 pcs$2.80726
- 品番:
- IRG7CH44K10EF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- IGBT CHIP WAFER.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRG7CH44K10EF electronic components. IRG7CH44K10EF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRG7CH44K10EF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRG7CH44K10EF 製品の属性
品番 :
IRG7CH44K10EF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
IGBT CHIP WAFER
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
IGBTタイプ :
-
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
1200V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
25A
電流-パルスコレクター（Icm） :
-
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2.3V @ 15V, 25A
パワー-最大 :
-
スイッチングエネルギー :
-
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
160nC
Td（オン/オフ）@ 25°C :
60ns/230ns
試験条件 :
600V, 25A, 10 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） :
-
動作温度 :
-40°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
Die
サプライヤーデバイスパッケージ :
Die
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