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- 品番:
- SGB15N60HSATMA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- IGBT 600V 27A 138W TO263-3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-整流器-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies SGB15N60HSATMA1 electronic components. SGB15N60HSATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SGB15N60HSATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SGB15N60HSATMA1 製品の属性
品番 :
SGB15N60HSATMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
IGBT 600V 27A 138W TO263-3
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
IGBTタイプ :
NPT
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
600V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
27A
電流-パルスコレクター（Icm） :
60A
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
3.15V @ 15V, 15A
パワー-最大 :
138W
スイッチングエネルギー :
530µJ
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
80nC
Td（オン/オフ）@ 25°C :
13ns/209ns
試験条件 :
400V, 15A, 23 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） :
-
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO263-3
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