STMicroelectronics - STGWT80H65DFB

KEY Part #: K6421767

STGWT80H65DFB 価格設定(USD) [12469個在庫]

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品番:
STGWT80H65DFB
メーカー:
STMicroelectronics
詳細な説明:
IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-トライアック, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STGWT80H65DFB 製品の属性

品番 : STGWT80H65DFB
メーカー : STMicroelectronics
説明 : IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : Trench Field Stop
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 650V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 120A
電流-パルスコレクター(Icm) : 240A
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2V @ 15V, 80A
パワー-最大 : 469W
スイッチングエネルギー : 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
入力方式 : Standard
ゲートチャージ : 414nC
Td(オン/オフ)@ 25°C : 84ns/280ns
試験条件 : 400V, 80A, 10 Ohm, 15V
逆回復時間(trr) : 85ns
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-3P-3, SC-65-3
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-3P

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