Infineon Technologies - IPSA70R1K4P7SAKMA1

KEY Part #: K6401680

IPSA70R1K4P7SAKMA1 価格設定(USD) [126380個在庫]

  • 1 pcs$0.29267

品番:
IPSA70R1K4P7SAKMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET COOLMOS 700V TO251-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-IGBT-アレイ, パワードライバーモジュール and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPSA70R1K4P7SAKMA1 製品の属性

品番 : IPSA70R1K4P7SAKMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET COOLMOS 700V TO251-3
シリーズ : CoolMOS™ P7
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 700V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 4A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.4 Ohm @ 700mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.5V @ 40µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 4.7nC @ 400V
Vgs(最大) : ±16V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 158pF @ 400V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 22.7W (Tc)
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO251-3
パッケージ/ケース : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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