RQ3E075ATTB 価格設定（USD） [216885個在庫]
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- 品番:
- RQ3E075ATTB
- メーカー:
- Rohm Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-整流器-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Rohm Semiconductor RQ3E075ATTB electronic components. RQ3E075ATTB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RQ3E075ATTB, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RQ3E075ATTB 製品の属性
品番 :
RQ3E075ATTB
メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
18A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
23 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
10.4nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
930pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
15W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-HSMT (3.2x3)
パッケージ/ケース :
8-PowerVDFN
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