IRFHM8334TRPBF 価格設定（USD） [301457個在庫]
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- 品番:
- IRFHM8334TRPBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 13A 8PQFN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-トライアック, サイリスタ-SCR, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRFHM8334TRPBF electronic components. IRFHM8334TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFHM8334TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFHM8334TRPBF 製品の属性
品番 :
IRFHM8334TRPBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 30V 13A 8PQFN
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
13A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
9 mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.35V @ 25µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
15nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1180pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.7W (Ta), 28W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-PQFN (3.3x3.3), Power33
パッケージ/ケース :
8-PowerTDFN
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