ON Semiconductor - FDY301NZ

KEY Part #: K6416937

FDY301NZ 価格設定(USD) [915350個在庫]

  • 1 pcs$0.04517
  • 3,000 pcs$0.04495

品番:
FDY301NZ
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 20V 200MA SC-89.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), サイリスタ-トライアック, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FDY301NZ electronic components. FDY301NZ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDY301NZ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDY301NZ 製品の属性

品番 : FDY301NZ
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 20V 200MA SC-89
シリーズ : PowerTrench®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 200mA (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 1.5V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 5 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 1.1nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±12V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 60pF @ 10V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 625mW (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : SC-89-3
パッケージ/ケース : SC-89, SOT-490

あなたも興味があるかもしれません
  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • FDD8870

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK.

  • TK33S10N1Z,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.

  • IPA65R150CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220.