Vishay Semiconductor Diodes Division - BAQ135-GS08

KEY Part #: K6458422

BAQ135-GS08 価格設定(USD) [1320178個在庫]

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品番:
BAQ135-GS08
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 125V 200MA SOD80. Diodes - General Purpose, Power, Switching 125 Volt 200mA 2.0 Amp IFSM
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-RF and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAQ135-GS08 製品の属性

品番 : BAQ135-GS08
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE GEN PURP 125V 200MA SOD80
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 125V
電流-平均整流(Io) : 200mA
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1V @ 100mA
速度 : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 1nA @ 60V
静電容量@ Vr、F : 3pF @ 0V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : SOD-80 Variant
サプライヤーデバイスパッケージ : SOD-80 QuadroMELF
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

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